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安全信息

553131

Sigma-Aldrich

四(乙基甲基胺基)锆(IV)

≥99.99% trace metals basis

别名:

TEMAZ, 四(乙基甲基氨基)锆(IV)

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About This Item

线性分子式:
Zr(NCH3C2H5)4
CAS号:
175923-04-3
分子量:
323.63
MDL编号:
MFCD03427131
UNSPSC代码:
12352103
PubChem化学物质编号:
24879307
NACRES:
NA.23

质量水平

200

方案

≥99.99% trace metals basis

表单

liquid

反应适用性

core: zirconium

沸点

81 °C/0.1 mmHg (lit.)

密度

1.049 g/mL at 25 °C (lit.)

SMILES字符串

CCN(C)[Zr](N(C)CC)(N(C)CC)N(C)CC

InChI

1S/4C3H8N.Zr/c4*1-3-4-2;/h4*3H2,1-2H3;/q4*-1;+4

InChI key

SRLSISLWUNZOOB-UHFFFAOYSA-N

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相关类别

应用

Tetrakis(ethylmethylamido)zirconium(IV) can be used as a precursor for atomic layer deposition of zirconium fluoride. These metal fluorides are applied in the field of catalysis, optical films, and protective coatings for Li-ion battery electrodes.

象形图

FlameExclamation mark
GHS02,GHS07

警示用语：

Danger

危险分类

Eye Irrit. 2 - Flam. Liq. 2 - Skin Irrit. 2 - STOT SE 3 - Water-react 2

靶器官

Respiratory system

储存分类代码

4.3 - Hazardous materials which set free flammable gases upon contact with water

WGK

WGK 3

闪点(°F)

50.0 °F - closed cup

闪点(°C)

10 °C - closed cup

个人防护装备

Eyeshields, Faceshields, Gloves, type ABEK (EN14387) respirator filter

法规信息

危险化学品

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分析证书(COA)

Lot/Batch Number
SHBN5343
SHBM5511
SHBL3495
SHBF6263V
SHBD9953V

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ZrO2 monolayer as a removable etch stop layer for thermal Al2O3 atomic layer etching using hydrogen fluoride and trimethylaluminum
David R Zywotko, et al.
Chemistry of Materials, 32, 10055-10065 (2020)
Atomic layer deposition of metal fluorides using HF-pyridine as the fluorine precursor
Younghee Lee, et al.
Chemistry of Materials, 28, 2022-2032 (2016)

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