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Merck
CN
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主要文件

455199

Sigma-Aldrich

四(二甲基氨基)铪 (Ⅳ)

≥99.99%

别名:

TDMAH, 四(二甲胺基)铪(IV)

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About This Item

线性分子式:
[(CH3)2N]4Hf
CAS号:
分子量:
354.79
MDL编号:
UNSPSC代码:
12352103
PubChem化学物质编号:
NACRES:
NA.23

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质量水平

方案

≥99.99%

表单

low-melting solid

反应适用性

core: hafnium

mp

26-29 °C (lit.)

密度

1.098 g/mL at 25 °C

SMILES字符串

CN(C)[Hf](N(C)C)(N(C)C)N(C)C

InChI

1S/4C2H6N.Hf/c4*1-3-2;/h4*1-2H3;/q4*-1;+4

InChI key

ZYLGGWPMIDHSEZ-UHFFFAOYSA-N

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T2011T2327650357
biological source

chicken egg white

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chicken egg white

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Glycine max (soybean)

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-

Quality Level

200

Quality Level

300

Quality Level

200

Quality Level

300

form

powder

form

powder

form

lyophilized powder

form

lyophilized solid

storage temp.

2-8°C

storage temp.

2-8°C

storage temp.

2-8°C

storage temp.

−20°C

solubility

water: soluble 10 g/L

solubility

water: soluble 10 g/L

solubility

-

solubility

67 mM potassium phosphate buffer, pH 7.6: 5 mg/mL

mol wt

14 kDa

mol wt

14 kDa

mol wt

-

mol wt

-

一般描述

四(二甲基氨基)铪(IV)是一种 有机金属化合物,由中心的铪原子(Hf) 和周围的四个二甲基氨基配体(NMe2)组成。通常用作CVD/ALD前=体, 生产高质量的Hf薄膜 。它是一种低熔点 固体。

应用

四(二甲基氨基)铪(IV)可用于:
  • 作为原子层沉积(ALD)前驱体,沉积用于先进半导体器件的氧化铪薄膜。[1]
  • 作为制造聚合物衍生陶瓷纳米复合材料的前驱体。[2]
  • 使用三(异丙基-环戊二烯基)铈[Ce(iPrCp)3]前驱体和H2O,通过ALD法在Ge衬底上制备HfO2、CeO2和Ce掺杂HfO2薄膜。[3]
  • 在150−250 °C的低衬底温度下用TDMAH和氨制备Hf3N4薄膜。[4]

分析说明

纯度:锆含量低于 ~2000ppm。

象形图

FlameCorrosion

警示用语:

Danger

危险声明

危险分类

Flam. Sol. 1 - Skin Corr. 1B - Water-react 2

补充剂危害

储存分类代码

4.3 - Hazardous materials which set free flammable gases upon contact with water

WGK

WGK 3

个人防护装备

Eyeshields, Faceshields, Gloves, type P3 (EN 143) respirator cartridges


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    J. Eur. Ceram. Soc., 35, 2007-2015 (2015)
    Atomic layer deposition of CeO2/HfO2 gate dielectrics on Ge substrate
    Wan Joo Maeng, et al.
    Applied Surface Science, 321, 214-218 (2014)
    Tetrakis(dimethylamido)hafnium Adsorption and Reaction on Hydrogen Terminated Si(100) Surfaces
    Kejing Li, et al.
    The Journal of Physical Chemistry C, 114, 14061-14075 (2010)
    Electrical characterization of atomic-layer-deposited hafnium oxide films from hafnium tetrakis (dimethylamide) and water/ozone: Effects of growth temperature, oxygen source, and postdeposition annealing
    Hector Garcia, et al.
    Journal of Vacuum Science & Technology. A, Vacuum, Surfaces, And Films, 31 (2013)

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