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质量水平
方案
≥99.99%
表单
low-melting solid
反应适用性
core: hafnium
mp
26-29 °C (lit.)
密度
1.098 g/mL at 25 °C
SMILES字符串
CN(C)[Hf](N(C)C)(N(C)C)N(C)C
InChI
1S/4C2H6N.Hf/c4*1-3-2;/h4*1-2H3;/q4*-1;+4
InChI key
ZYLGGWPMIDHSEZ-UHFFFAOYSA-N
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一般描述
四(二甲基氨基)铪(IV)是一种 有机金属化合物,由中心的铪原子(Hf) 和周围的四个二甲基氨基配体(NMe2)组成。通常用作CVD/ALD前=体, 生产高质量的Hf薄膜 。它是一种低熔点 固体。
应用
四(二甲基氨基)铪(IV)可用于:
- 作为原子层沉积(ALD)前驱体,沉积用于先进半导体器件的氧化铪薄膜。
- 作为制造聚合物衍生陶瓷纳米复合材料的前驱体。
- 使用三(异丙基-环戊二烯基)铈[Ce(iPrCp)3]前驱体和H2O,通过ALD法在Ge衬底上制备HfO2、CeO2和Ce掺杂HfO2薄膜。
- 在150−250 °C的低衬底温度下用TDMAH和氨制备Hf3N4薄膜。
分析说明
纯度:锆含量低于 ~2000ppm。
警示用语:
Danger
危险声明
危险分类
Flam. Sol. 1 - Skin Corr. 1B - Water-react 2
补充剂危害
储存分类代码
4.3 - Hazardous materials which set free flammable gases upon contact with water
WGK
WGK 3
个人防护装备
Eyeshields, Faceshields, Gloves, type P3 (EN 143) respirator cartridges
Tetrakis(dimethylamido)hafnium Adsorption and Reaction on Hydrogen Terminated Si(100) Surfaces
The Journal of Physical Chemistry C, 114, 14061-14075 (2010)
Atomic layer deposition of CeO2/HfO2 gate dielectrics on Ge substrate
Applied Surface Science, 321, 214-218 (2014)
J. Eur. Ceram. Soc., 35, 2007-2015 (2015)
Electrical characterization of atomic-layer-deposited hafnium oxide films from hafnium tetrakis (dimethylamide) and water/ozone: Effects of growth temperature, oxygen source, and postdeposition annealing
Journal of Vacuum Science & Technology. A, Vacuum, Surfaces, And Films, 31 (2013)
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