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形式
solid
质量水平
质量
acid washed
杂质
≤0.01% in acid soluble iron (Fe)
≤0.5% soluble in HCl
缺失
≤0.5% loss on ignition, 800 °C
折射率
n20/D 1.544 (lit.)
mp
1610 °C (lit.)
密度
2.6 g/mL at 25 °C (lit.)
痕量阴离子
chloride (Cl-): ≤100 mg/kg
SMILES字符串
O=[Si]=O
InChI
1S/O2Si/c1-3-2
InChI key
VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N
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一般描述
二氧化硅（SiO2）以三种晶体形式存在，即石英、鳞石英和方石英。 它与氢氟酸反应生成四氟化硅（SiF4） 和水。在 SiO2与碱熔体反应时形成硅酸盐。 SiO2是玻璃、砖和混凝土中的主要成分，也是硅器件中的绝缘体。已经报道了用（3-氨基丙基）三乙氧基硅烷（APTES）改变SiO2的表面以结合乳酸脱氢酶（LDH）以形成氨基层。通过电子自旋共振谱研究了在液氮温度下的硅-二氧化硅结构。
应用
二氧化硅可用于在氯化钙（CaCl2）电解质存在下通过电化学还原反应生产硅的方法.也可用于制备 FeCl3/SiO2（一种负载型试剂），用于氧化偶联反应。
WGK
nwg
闪点(°F)
Not applicable
闪点(°C)
Not applicable
个人防护装备
Eyeshields, Gloves, type N95 (US)
Iron trichloride/silicon dioxide reacts as oxidant or Lewis acid with phenol ethers.
Jempty TC, et al.
The Journal of Organic Chemistry, 46(22), 4545-4551 (1981)
Study of silicon-silicon dioxide structure by electron spin resonance I.
Nishi Y.
Japanese Journal of Applied Physics, 10(1), 52-52 (1971)
Electronic structure of silicon dioxide (a review).
Nekrashevich SS and Gritsenko VA.
Physics of the Solid State, 56(2), 207-222 (2014)
Eagleson M.
Concise Encyclopedia Chemistry, 983-984 (1994)
Surface modification of silicon dioxide, silicon nitride and titanium oxynitride for lactate dehydrogenase immobilization.
Saengdee P, et al.
Biosensors And Bioelectronics, 67, 134-138 (2015)
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