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About This Item
经验公式（希尔记法）:
C10H8O
CAS号:
分子量:
144.17
MDL编号:
UNSPSC代码:
12352104
EC索引号:
201-969-4
NACRES:
NA.22
推荐产品
蒸汽压
1.3 hPa ( 94 °C)
质量水平
方案
≥99% (GC)
表单
solid
自燃温度
510 °C
效能
1870 mg/kg LD50, oral (Rat)
880 mg/kg LD50, skin (Rabbit)
技术
UV/Vis spectroscopy: suitable
沸点
288 °C/1013 hPa
mp
94-96 °C
转变温度
flash point 125 °C
溶解性
0.1 g/L
密度
1.28 g/cm3 at 20 °C
堆积密度
450 kg/m3
储存温度
2-30°C
SMILES字符串
Oc1c2c(ccc1)cccc2
InChI
1S/C10H8O/c11-10-7-3-5-8-4-1-2-6-9(8)10/h1-7,11H
InChI key
KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N
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应用
<ul>
<li><strong>Real-time deflection and friction force imaging by bimorph-based resonance-type high-speed scanning force microscopy in the contact mode.</strong>：本文在新型显微技术中使用氟掺杂氧化锡玻片提高实时成像能力，说明它可用于高速高分辨率的表面分析(Cai et al., 2014)。</li>
<li><strong>Langmuir-Blodgett films of self-assembled (alkylether-derivatized Zn phthalocyanine)-(C imidazole adduct) dyad with controlled intermolecular distance for photoelectrochemical studies.</strong>：本文使用氟掺杂氧化锡作为Langmuir-Blodgett膜的基底制备高度有序分子组合体，改进光电化学应用(Obraztsov et al., 2014)。</li>
<li><strong>Formation of an electron hole doped film in the α-Fe2O3 photoanode upon electrochemical oxidation.</strong>：本文研究氟掺杂氧化锡在α-Fe2O3光阳极上形成电子空穴掺杂膜的优势特性，对于提高光电化学电池效率有重要意义(Gajda-Schrantz et al., 2013)。</li>
<li><strong>BiSI Micro-Rod Thin Films: Efficient Solar Absorber Electrodes</strong>：研究氟掺杂氧化锡玻片提高BiSI微米棒薄膜光电化学性能的作用，说明它可用于太阳能转换和储存系统(Hahn et al., 2012)。</li>
</ul>
<li><strong>Real-time deflection and friction force imaging by bimorph-based resonance-type high-speed scanning force microscopy in the contact mode.</strong>：本文在新型显微技术中使用氟掺杂氧化锡玻片提高实时成像能力，说明它可用于高速高分辨率的表面分析(Cai et al., 2014)。</li>
<li><strong>Langmuir-Blodgett films of self-assembled (alkylether-derivatized Zn phthalocyanine)-(C imidazole adduct) dyad with controlled intermolecular distance for photoelectrochemical studies.</strong>：本文使用氟掺杂氧化锡作为Langmuir-Blodgett膜的基底制备高度有序分子组合体，改进光电化学应用(Obraztsov et al., 2014)。</li>
<li><strong>Formation of an electron hole doped film in the α-Fe2O3 photoanode upon electrochemical oxidation.</strong>：本文研究氟掺杂氧化锡在α-Fe2O3光阳极上形成电子空穴掺杂膜的优势特性，对于提高光电化学电池效率有重要意义(Gajda-Schrantz et al., 2013)。</li>
<li><strong>BiSI Micro-Rod Thin Films: Efficient Solar Absorber Electrodes</strong>：研究氟掺杂氧化锡玻片提高BiSI微米棒薄膜光电化学性能的作用，说明它可用于太阳能转换和储存系统(Hahn et al., 2012)。</li>
</ul>
分析说明
含量（GC，area%）： ≥ 99.0 %（a/a）
熔程（下限值）： ≥ 94 °C
熔程（上限值）： ≤ 96 °C
同一性（IR）：通过测试
熔程（下限值）： ≥ 94 °C
熔程（上限值）： ≤ 96 °C
同一性（IR）：通过测试
警示用语：
Danger
危险分类
Acute Tox. 3 Dermal - Acute Tox. 4 Oral - Aquatic Acute 1 - Aquatic Chronic 3 - Eye Dam. 1 - Skin Irrit. 2 - Skin Sens. 1A - STOT SE 2 Oral - STOT SE 3
靶器官
Kidney, Respiratory system
储存分类代码
6.1C - Combustible acute toxic Cat.3 / toxic compounds or compounds which causing chronic effects
WGK
WGK 1
闪点(°F)
257.0 °F - closed cup
闪点(°C)
125 °C - closed cup
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