形式
liquid
一般描述
缓冲氧化物蚀刻剂（BOE）是一种用于微细加工的湿蚀刻剂。它的主要用途是蚀刻二氧化硅（SiO2）或氮化硅（Si3N4）薄膜。它是一种缓冲剂的混合物，例如氟化铵（NH4F）和氢氟酸（HF）。浓缩HF对二氧化硅的蚀刻速度太快，无法实现良好的工艺控制，并且还会剥离用于光刻图案化的光刻胶。
应用
含表面活性剂的缓冲氧化物蚀刻剂（BOE）6：1可用于去除基于AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管的氧化物，用于栅极光刻。也可用于缓冲氧化物蚀刻剂方法，制造微生物芯片。
警示用语：
Danger
危险分类
Acute Tox. 1 Dermal - Acute Tox. 2 Inhalation - Acute Tox. 2 Oral - Eye Dam. 1 - Skin Corr. 1A
WGK
WGK 2
闪点(°F)
Not applicable
闪点(°C)
Not applicable
Effect of passivation on AlGaN/GaN HEMT device performance
2000 IEEE international symposium on compound semiconductors, 357-363 (2000)
Fabrication of a new micro bio chip and flow cell cytometry system using Bio-MEMS technology
Byun I, et al.
Microelectronics Journal, 39(5), 717-722 (2008)
Surface cleaning and preparation in AlGaN/GaN-based HEMT processing as assessed by X-ray photoelectron spectroscopy
Gonzalez-Posada F, et al.
Applied Surface Science, 253(14), 6185-6190 (2007)
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