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Merck
CN

791989

Sigma-Aldrich

PDPP2T-TT-OD

别名:

Xerox XSC4p, 二酮吡咯并吡咯-噻吩并噻吩共聚物, 二酮吡咯并吡咯p型半导体

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About This Item

线性分子式:
(C60H90N2O2S4)n
UNSPSC代码:
12352103
NACRES:
NA.23

形式

solid

分子量

average Mw 40,000-60,000 by GPC

颜色

dark blue

mp

>200 °C

λmax

820 nm (thin film)

轨道能量

HOMO 5.2 eV 

OFET设备性能

Bottom gate top contact device with silane modified SiO2 dielectric.Processing method spin coating; thermal annealing at 140 °C/ 10 min

  • Semiconductor Type:
  • Mobility: 0.60 cm2/V·s
  • On/Off Ratio: 10^6 - 10^7

PDI

2.5‑3.0

一般描述

PDPP2T-TT-OD是基于噻吩的导电聚合物,其中二酮吡咯并吡咯(DPP)为电子缺陷基团,辛基十二烷基为侧基。其结构含有一个DPP-噻吩和一个可变的联噻吩(2T)。它具有高电荷携带能力,使其可用于开发基于有机电子的设备。

应用

PDPP2T-TT-OD可以用作 π-共轭聚合物,可用于制造各种器件,例如有机薄膜晶体管(OTFT)、光伏电池、聚合物太阳能电池和场效应晶体管(FET)。
Xerox在含有100-300 nm天然SiO2介电质的n-掺杂硅晶片上展示出器件
该介质被十八烷基三氯硅烷自组装单层改性。XSC4p膜通过旋涂(1000 rpm,60秒)0.5–0.7 wt.%的聚合物溶液进行沉积。将薄膜在真空烘箱中于80°C干燥10分钟,
然后在140°C加热退火10分钟。使用荫罩(90微米通道)通过真空蒸发对金源漏极进行沉积。
使用Keithley SCS-4200系统对电气性能进行了表征。所报告的迁移率是四个设备ε的平均饱和迁移率±
标准差

法律信息

Xerox产品®。Xerox® 是Xerox公司的注册商标。
Xerox is a registered trademark of Xerox Corporation

象形图

Exclamation mark

警示用语:

Warning

危险声明

危险分类

Eye Irrit. 2 - Skin Irrit. 2 - STOT SE 3

靶器官

Respiratory system

WGK

WGK 3

闪点(°F)

Not applicable

闪点(°C)

Not applicable


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