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Merck
CN
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文件

安全信息

760463

Sigma-Aldrich

叔丁醇铪

packaged for use in deposition systems

别名:

Hafnium tetra-t -butoxide, Hafnium tetrakis(t -butoxide), Tetra-t -butoxyhafnium, Tetrakis(t -butoxy)hafnium

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About This Item

线性分子式:
Hf[OC(CH3)3]4
CAS号:
2172-02-3
分子量:
470.94
MDL编号:
MFCD00070458
UNSPSC代码:
12352103
PubChem化学物质编号:
329766868
NACRES:
NA.23

形式

liquid

反应适用性

core: hafnium

折射率

n20/D 1.424 (lit.)

bp

90 °C/5 mmHg (lit.)

密度

1.166 g/mL at 25 °C (lit.)

SMILES字符串

CC(C)(C)O[Hf](OC(C)(C)C)(OC(C)(C)C)OC(C)(C)C

InChI

1S/4C4H9O.Hf/c4*1-4(2,3)5;/h4*1-3H3;/q4*-1;+4

InChI key

WZVIPWQGBBCHJP-UHFFFAOYSA-N

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应用

Hafnium tert-butoxide [Hf(OtBu)4] is a mononuclear; volatile; and highly promising precursor for the deposition of HfO2 and other hafnium doped thin films by vapor deposition techniques. The deposited films show high dielectric constant suitable for semiconductor devices.

象形图

FlameExclamation mark
GHS02,GHS07

警示用语：

Warning

危险分类

Eye Irrit. 2 - Flam. Liq. 3 - Skin Irrit. 2 - STOT SE 3

靶器官

Respiratory system

WGK

WGK 3

闪点(°F)

closed cup

闪点(°C)

closed cup

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Dabrian, A.; et al.
Crystal Growth & Design, 11, 203-203 (2011)
Williams, P. A.; et al
Journal of Materials Chemistry, 12, 165-165 (2002)
Sean W Depner et al.
ACS nano, 8(5), 4678-4688 (2014-04-23)
We demonstrate that the degree of branching of the alkyl (R) chain in a Hf(OR)4 precursor allows for control over the length of HfO2 nanocrystals grown by homocondensation of the metal alkoxide with a metal halide. An extended nonhydrolytic sol-gel

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