形式
dispersion
质量水平
组成
In2O3, 90%
SnO2, 10%
浓度
30 wt. % in isopropanol
粒径
<100 nm (DLS)
bp
82 °C
密度
1.04 g/mL at 25 °C
储存温度
−20°C
SMILES字符串
O=[Sn]=O.O=[In]O[In]=O
InChI
1S/2In.5O.Sn
InChI key
LNNWKAUHKIHCKO-UHFFFAOYSA-N
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一般描述
氧化铟锡(ITO)是一种透明导电氧化物,具有良好的光学透明度(在550 nm处T > 85%)和高电导率(ρ ∼ 10−4Ωcm)。它可被用于同时需要可见光区域的光学透明度和高导电性的各种应用。
应用
氧化铟锡纳米颗粒广泛用作制造ITO薄膜,可应用于电致发光设备、电致变色系统、液晶显示电极、太阳能电池和节能窗户等领域。
警示用语:
Danger
危险声明
危险分类
Eye Irrit. 2 - Flam. Liq. 2 - STOT SE 3
靶器官
Central nervous system
储存分类代码
3 - Flammable liquids
WGK
WGK 3
闪点(°F)
57.2 °F - closed cup
闪点(°C)
14 °C - closed cup
个人防护装备
Eyeshields, Faceshields, Gloves, type ABEK (EN14387) respirator filter
法规信息
危险化学品
商品
TiO2 exhibits wide band gap semiconductor and memristor properties electronically, with high opacity and UV absorbance optically.
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