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等级
anhydrous
质量水平
方案
99.999% trace metals basis
表单
powder
杂质
≤15.0 ppm Trace Metal Analysis
密度
4.47 g/mL at 25 °C (lit.)
SMILES字符串
I[Sn](I)(I)I
InChI
1S/4HI.Sn/h4*1H;/q;;;;+4/p-4
InChI key
QPBYLOWPSRZOFX-UHFFFAOYSA-J
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应用
- 碘化丙啶分子间相互作用对四碘化锡半导体配合物电子性质的影响： 本研究探索了四碘化锡与有机配体络合的晶体结构和电子性质（E Wlazlak 等人，2016 年）。
- 锡卤化物钙钛矿中 Sn (II) 氧化的起源： 这项研究调查了锡卤化物钙钛矿中 Sn(II) 到 Sn(IV) 的氧化机制及其对材料稳定性的影响（J Pascual 等人，2020 年）。
- 锡卤化物钙钛矿中的氟化学： 本文讨论了氟添加对碘化物钙钛矿中锡中心的配位和氧化态的影响（J Pascual 等人，2021 年）。
- Sn (II) 和 Sn (IV) 碘化物钙钛矿的机械化学合成及其结构、化学、热学、光学和电学性质的研究： 这项工作详细介绍了纯锡和混合锡铅碘化物钙钛矿的合成和表征（Y El Ajjouri 等人，2020 年）。
- 混合锡基钙钛矿太阳能电池的降解机制以及四碘化锡的关键作用： 本研究阐明了锡钙钛矿太阳能电池的降解机制，突出了四碘化锡在此过程中的作用（L Lanzetta 等人，2021 年）。
警示用语：
Danger
危险分类
Acute Tox. 4 Dermal - Acute Tox. 4 Inhalation - Acute Tox. 4 Oral - Eye Dam. 1 - Resp. Sens. 1 - Skin Corr. 1B - Skin Sens. 1
储存分类代码
8A - Combustible corrosive hazardous materials
WGK
WGK 3
闪点(°F)
Not applicable
闪点(°C)
Not applicable
个人防护装备
Eyeshields, Faceshields, Gloves, type P3 (EN 143) respirator cartridges
法规信息
危险化学品
历史批次信息供参考:
分析证书(COA)
Lot/Batch Number
Meng Li et al.
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.), 30(20), e1800258-e1800258 (2018-04-01)
Exploiting organic/inorganic hybrid perovskite solar cells (PSCs) with reduced Pb content is very important for developing environment-friendly photovoltaics. Utilizing of Pb-Sn alloying perovskite is considered as an efficient route to reduce the risk of ecosystem pollution. However, the trade-off between
Jia Zhang et al.
Nature communications, 11(1), 2618-2618 (2020-05-28)
Charge-transfer excitons (CTEs) immensely enrich property-tuning capabilities of semiconducting materials. However, such concept has been remaining as unexplored topic within halide perovskite structures. Here, we report that CTEs can be effectively formed in heterostructured 2D perovskites prepared by mixing PEA2PbI4:PEA2SnI4
Zhibin Yang et al.
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.), 28(40), 8990-8997 (2016-10-21)
A low-bandgap (1.33 eV) Sn-based MA
Nezhueyotl Izquierdo et al.
ACS nano, 13(6), 7091-7099 (2019-05-31)
A single-step, direct silicon-substrate growth of black phosphorus (BP) crystals is achieved in a self-contained short-way transport technique under low-pressure conditions (<1.5 MPa). A 115 nm-thick BP hero single crystal is formed with lateral dimensions of 10 × 85 μm.
Satyaprasad P Senanayak et al.
Science advances, 6(15), eaaz4948-eaaz4948 (2020-04-18)
Despite sustained research, application of lead halide perovskites in field-effect transistors (FETs) has substantial concerns in terms of operational instabilities and hysteresis effects which are linked to its ionic nature. Here, we investigate the mechanism behind these instabilities and demonstrate
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