303518
Tantalum oxide
99% trace metals basis
别名:
五氧化钽
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关于此项目
线性分子式:
Ta2O5
化学文摘社编号:
分子量:
441.89
NACRES:
NA.23
PubChem Substance ID:
UNSPSC Code:
12352303
EC Number:
215-238-2
MDL number:
产品名称
氧化钽(V), 99% trace metals basis
InChI key
PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N
InChI
1S/5O.2Ta
SMILES string
O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O
assay
99% trace metals basis
form
powder
reaction suitability
reagent type: catalyst
core: tantalum
density
8.2 g/mL at 25 °C (lit.)
application(s)
battery manufacturing
Quality Level
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Application
氧化钽与栅极介电结构中的硅混合。它可用于合成六方填充的介孔氧化钽分子筛。研究表明，氧化钽薄膜的离子束溅射沉积可能应用于光学涂层。它可用于制造透镜和电子电路的光学玻璃。
General description
五氧化二钽本质上是一种电介质，因此可用在电子工业中制造电容器。
存储类别
11 - Combustible Solids
wgk
nwg
flash_point_f
Not applicable
flash_point_c
Not applicable
ppe
Eyeshields, Gloves, type N95 (US)
Intermixing at the tantalum oxide/silicon interface in gate dielectric structures.
Alers GB, et al.
Applied Physics Letters, 73(11), 1517-1519 (1998)
Synthesis and characterization of hexagonally packed mesoporous tantalum oxide molecular sieves.
Antonelli DM and Ying JY
Chemistry of Materials, 8(4), 874-881 (1996)
Effects of oxygen content on the optical properties of tantalum oxide films deposited by ion-beam sputtering.
H Demiryont et al.
Applied optics, 24(4), 490-490 (1985-02-15)
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