所有图片(1)
About This Item
线性分子式:
(SiCl3)2
CAS号:
分子量:
268.89
EC 号:
MDL编号:
UNSPSC代码:
12352103
PubChem化学物质编号:
NACRES:
NA.23
推荐产品
方案
96%
表单
liquid
折射率
n20/D 1.475 (lit.)
沸点
144-145.5 °C (lit.)
密度
1.562 g/mL at 25 °C (lit.)
SMILES字符串
Cl[Si](Cl)(Cl)[Si](Cl)(Cl)Cl
InChI
1S/Cl6Si2/c1-7(2,3)8(4,5)6
InChI key
LXEXBJXDGVGRAR-UHFFFAOYSA-N
正在寻找类似产品? 访问 产品对比指南
一般描述
六氯乙硅烷（HCDS）是一种氯硅烷，可用作生产乙硅烷的前体。它是一种用于生产硅膜和氮化硅基膜的脱氧剂。
应用
HCDS可用于通过化学气相沉积（CVD）制备二氧化硅气凝胶，其有望用作封装剂和绝热体。它也可用于通过CVD合成1,1,1,2,2,2-六氨基乙硅烷，其可形成微电子应用的硅基薄膜。
HCDS可用作还原剂。它可以通过化学气相沉积（CVD）技术与氨结合形成氮化硅。
警示用语：
Danger
危险声明
危险分类
Skin Corr. 1B
补充剂危害
储存分类代码
8A - Combustible corrosive hazardous materials
WGK
WGK 3
闪点(°F)
Not applicable
闪点(°C)
Not applicable
个人防护装备
Faceshields, Gloves, Goggles, type ABEK (EN14387) respirator filter
Chemical vapor deposition of silicon films using hexachlorodisilane
Taylor, R. C., Scott, B. A., Lin, S. T., LeGoues, F., & Tsang, J. C.
MRS Proceedings, 77, 709-709 (1986)
Z Yu et al.
Journal of chromatography. A, 903(1-2), 183-191 (2001-01-12)
Carbon isotopic compositions of aetio I occurring in the form of free-base, nickel, demetallation, dihydroxysilicon(IV) and bis(tert.-butyldimethylsiloxy)silicon(IV) [(tBDMSO)2Si(IV)] have shown that it has experienced no obvious isotope fractionation during the synthesis of [(tBDMSO)2Si(IV)] porphyrin from aetio I. Here, aetio I
Enhancing mechanical properties of silica aerogels
Obrey, K. A., Wilson, K. V., & Loy, D. A.
Journal of Non-Crystalline Solids, 375(19), 3435-3441 (2011)
Film Properties of Low?k Silicon Nitride Films Formed by Hexachlorodisilane and Ammonia.
Tanaka M , et al.
Journal of the Electrochemical Society, 147(6), 2284-2289 (2000)
Hexachlorodisilane as a Precursor in the LPCVD of Silicon Dioxide and Silicon Oxynitride Films.
Taylor, R. C., & Scott, B. A.
Journal of the Electrochemical Society, 136(8), 2382-2386 (1989)
我们的科学家团队拥有各种研究领域经验，包括生命科学、材料科学、化学合成、色谱、分析及许多其他领域.
联系技术服务部门