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Merck
CN

203440

三氯化铟

99.999% trace metals basis

别名:

三氯化铟

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关于此项目

线性分子式:
InCl3
化学文摘社编号:
10025-82-8
分子量:
221.18
NACRES:
NA.23
PubChem Substance ID:
24852172
UNSPSC Code:
12352302
EC Number:
233-043-0
MDL number:
MFCD00011058
Assay:
99.999% trace metals basis
Form:
powder or flakes (or chunks)

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产品名称

三氯化铟, 99.999% trace metals basis

InChI key

PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K

InChI

1S/3ClH.In/h3*1H;/q;;;+3/p-3

SMILES string

Cl[In](Cl)Cl

assay

99.999% trace metals basis

form

powder or flakes (or chunks)

reaction suitability

core: indium
reagent type: catalyst

impurities

≤15.0 ppm Trace Metal Analysis

density

3.46 g/mL at 25 °C (lit.)

Quality Level

200

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相关类别

Application

氯化铟适于：
  • 作为醛和酮制备1,3-二硫戊环的催化剂。
  • 用于酚、硫醇、醇和胺的酰化。
  • 作为前体制备染料敏化太阳能电池的氧化铟锡(ITO)薄膜。
  • 制备溶液加工的 氧化物半导体薄膜晶体管(OS TFT)用于 显示装置。

General description

氯化铟是一种路易斯酸催化剂，适于多种有机反应。还用于催化、太阳能电池和光电领域。

pictograms

Health hazardCorrosion
GHS08,GHS05

signalword

Danger

Hazard Classifications

Aquatic Chronic 3 - Eye Dam. 1 - Skin Corr. 1C - STOT RE 1 Inhalation

target_organs

Lungs

存储类别

6.1D - Non-combustible acute toxic Cat.3 / toxic hazardous materials or hazardous materials causing chronic effects

wgk

WGK 3

flash_point_f

Not applicable

flash_point_c

Not applicable

ppe

Eyeshields, Faceshields, Gloves, type P3 (EN 143) respirator cartridges

历史批次信息供参考:

分析证书(COA)

Lot/Batch Number
MKCX6646
MKCX2755
MKCW4116
MKCV7327
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Synthesis, 1712-1712 (2007)
Mecheril Valsan Nandakumar et al.
Chemical communications (Cambridge, England), (26), 2756-2758 (2007-06-28)
The indium-bipyridine-catalyzed, enantioselective ring-opening of meso-epoxides with aliphatic and aromatic thiols furnished 1,2-mercapto alcohols in good yields and excellent enantioselectivities; the crystal structure of the chiral catalyst reveals a pentagonal-bipyramidal coordination geometry around the indium center.
Indium(III) chloride as a new, highly efficient, and versatile catalyst for acylation of phenols, thiols, alcohols, and amines
Asit K. Chakraborti and Rajesh Gulhane
Tetrahedron Letters, 44, 6749-6753 (2003)
A systematic study on effects of precursors and solvents for optimization of solution-processed oxide semiconductor thin-film transistors
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