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单层石墨烯薄膜, 1 cm x 1 cm on SiO2/Si substrate, avg. no. of layers, 1
质量水平
形式
film
特点
avg. no. of layers 1
电阻
600 Ω/sq
长度 × 宽度 × 厚度
1 cm × 1 cm × (theoretical) 0.345 nm, monolayer graphene film
1 cm × 1 cm × 525 μm, SiO2/Si substrate
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一般描述
生长方式:CVD合成
转移方式:干净的转移方式
质量控制:光学显微镜检查 & 拉曼检查
尺寸:1 cm x 1 cm
外观(颜色):透明
透明度:>97%
外观(形式):薄膜
覆盖率: >95%
石墨烯层数:1
厚度(理论上):0.345 nm
Al2O3上的FET电子迁移率:2; 000 cm2/V·s
SiO2/Si上的FET电子迁移率(预期):4; 000 cm2/V·s
薄层电阻:600 Ohms/sq。
粒度:最大10 μm
底物
尺寸:1.25 cm x 1.25 cm
类型/掺杂剂:P/B
方向:100
生长方式:CZ
电阻率:1-30 ohmcm
厚度:525 +/- 25μm
前表面:抛光
背面:蚀刻
涂层:两面晶片均为300 nm热氧化层
警示用语:
Danger
危险声明
危险分类
Eye Irrit. 2 - STOT RE 1 Inhalation - STOT SE 3
靶器官
Lungs, Respiratory system
WGK
WGK 3
闪点(°F)
Not applicable
闪点(°C)
Not applicable
商品
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